IPD350N06LGBTMA1
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Infineon Technologies IPD350N06LGBTMA1
| Artikelnummer: | IPD350N06LGBTMA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
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| 1000+ | $0.4358 |
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- Versandinformationen
- Verpackung
-
Infineon Technologies IPD350N06LGBTMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IPD350N06LGBTMA1.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 28µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3 Serie OptiMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 29A, 10V Verlustleistung (max) 68W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 5 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 29A (Tc) Grundproduktnummer IPD350 IPD350N06LGBTMA1 Einzelheiten PDF [English] IPD350N06LGBTMA1 PDF - EN.pdf -
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-
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